GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱.pdf

GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱.pdf
1 范围
本文件规定了导电型4H 碳化硅(4H-SiC) 晶体材料缺陷的形貌特征， 产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅(晶锭、 衬底片、 外延片及后续工艺) 的研发、 生产及检测分析等环节。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引 用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日 期的引 用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件； 不注日期的引用文件， 其最新版本(包括所有的修改单) 适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语